聚（jù）酰亞胺的介電常（cháng）數￡為3～3．5，對溫度或頻率的依賴性很小。在室溫時體積電阻率（lǜ）為10¹³～10¹⁷Ω·m，而在200℃時為10¹²Ω·m，在200℃以上時，溫度對薄膜的體積電阻率的影響不大。對於介電損耗角正切，改變聚酰亞胺鏈的結（jié）構，在室（shì）溫下tan8實際上是不變化的，其數（shù）值為(1～1．5)×10^-3。

  聚酰（xiān）亞胺的（de）介電損耗主要是由（yóu）於亞胺環的極性基團C—O而引起的，這種極（jí）性基團的位置是對稱（chēng）的（de），而且都位於環（huán）上，其極性的活動受（shòu）到（dào）了限製（zhì），而叔胺的（de）氮原（yuán）子的3個鍵都是（shì）C—N鍵。所以是趨向於極性抵消。因（yīn）此聚酰亞胺的介電損耗角正切較（jiào）低。

  聚酰亞胺有很（hěn）好（hǎo）的耐電暈性，它比聚（jù）酰胺酰亞胺和聚有機（jī）矽氧烷要好（hǎo），一般電暈老化取決於兩個化學反應：①由於（yú）活（huó）性氧的氧化分解；②臭氧、氮氧（yǎng）化物的氧化反應。而亞胺結（jié）構和芳香（xiāng）族對於這（zhè）些反應的抵抗（kàng）性大，也有人提出在聚酰亞胺中加入四苯基鉛和（hé）四苯基砷等有機化合物（wù）可提高耐電暈性。

  聚酰亞胺的（de）耐電弧性（xìng）不好，這是芳香族聚合物的共同缺點，這方麵是和聚酰亞胺分子真空分（fèn）解而導致成為半導體性的聚（jù）合（hé）物的傾向是一致的。