提出對納米雜化聚酰亞胺薄膜進行電暈預處理，並對電暈預處理後的試樣進行耐電暈及TSDC測試，比（bǐ）較結果可得到以下結論：

1)在適當的（de）電暈預處（chù）理條件下，納米（mǐ）雜化聚酰亞胺薄膜的耐電暈壽命會得到一定程度的提（tí）高。

2)納米雜化聚酰亞胺薄膜中受陷電荷的能級狀態隨電暈預處理過程發（fā）生變化，隨著電暈預處理時間的增加，受陷電荷會在交變電場的作（zuò）用下遷移擴散，逐漸深入材料內部形成能級較深的受陷狀（zhuàng）態，並在電暈預處理時間增加到一定長度時達到（dào）平衡。

3)納米雜化聚酰亞胺薄膜的耐電暈壽（shòu）命與薄膜中載流子的受陷狀態有關，當材料中均勻分布能級較（jiào）深的穩定（dìng）的載流子陷阱時，材料（liào）表現出較好的耐（nài）電暈性能。通過研究受陷空間電荷與材料耐電暈壽命之間的關係，可以從電介質材料的化學、物理結構的角度對材料進行優化，為進一步提高其耐電（diàn）暈壽命提供理論依據和實驗、檢驗手（shǒu）段。