PI薄膜以（yǐ）其優異性能（néng）在微電子行業（yè）發揮著越來越重要的作用。為了提（tí）高其粘接強度，對PI薄膜的表麵改性具有重要的意義。

    等離子體是一種全部或部分電離的氣體狀態物質，含有原子、分子、離子亞穩態和激發態，並且電子、正離子（zǐ）與負離子的含量大致相等。物質能量（liàng）較高，易與其他物質起物理、化學和生（shēng）理反應。

    自20世紀60年代以來，等離子體技術，特（tè）別是低溫等離子體（tǐ）技（jì）術（shù）對高分（fèn）子材料表麵改性的研究十分活躍，應用（yòng）越來越廣泛。這種改性方法有許多優點：(1)可以很快改變表（biǎo）麵（miàn）組成而不（bú）影響其整體相性（xìng）質；(2)可通過調整工作條件參數選擇**條件（jiàn）；(3)可以在表麵引入（rù）各種官能（néng）團為進一步處理創造條件等。

    按放電形式，低溫（wēn）等離子體可分為電暈放電、輝光放電、介（jiè）質阻擋放電和射（shè）頻放電等。

(1)電暈（yūn）放電

電（diàn）暈放（fàng）電又稱低頻放電，是在大氣壓條件（jiàn）下產生（shēng）的弱電流（liú）放電．是一種高電場（chǎng）強度、低離子密度的低溫等離子體。它是（shì）對距離很近的2個電極（jí）施加較高電壓，使電（diàn）極間的氣體擊穿（chuān）而產生的放電現象，放電時會（huì）生成臭氧、自由基、電子、紫（zǐ）外線等。

(2)輝光放（fàng）電（diàn）

輝光放電也稱高（gāo）頻放電，一般是指在適當的低氣壓下，施加一定的電壓（yā）使氣體擊穿而產生的穩定放電現象。其特點（diǎn）是端電壓低，同時放出較大的熱量。它處於電（diàn）暈放電與微波放電之（zhī）間的中（zhōng）間範圍，比電（diàn）暈放電的電場（chǎng）強（qiáng）度高。氣體壓力小。相比於低氣壓下的輝光放電，大氣壓下輝光放電不需產生低氣壓和真李密封（fēng）係統．簡（jiǎn）化了工藝流（liú）程。

(3)介質阻擋放電

介質阻擋放電(DBD)通常是由2個平行電極產生，其（qí）中至少有1個被電（diàn）介質層所覆（fù）蓋，當兩電極之間加上交流高壓。則兩極間的氣體擊穿（chuān）而形成放電，介質（zhì）阻擋放電中的（de）電介（jiè）質層既能起限流（liú）作用又能阻止放電向弧（hú）光放電的過渡，可以實現高氣壓氣體放電。DBD放電空間的電（diàn）場達到（dào）氣（qì）體的（de）擊穿（chuān）場強後，在放電空間產生大量（liàng）的活性粒（lì）子(如電子、離子（zǐ）、準分子、激勵（lì）態和亞穩態粒子等)。DBD等離（lí）子體與（yǔ）材料表麵相互作用後。在材料表（biǎo）麵形（xíng）成含氧、含（hán）氮的極性基團．使材料表麵（miàn）的粘接性、可染色性、印刷性及生物相容性等性能得到改善。

(4)射頻放電

射頻（pín）放（fàng）電分為電容藕合式和電感藕合式。兩者分別以（yǐ）高頻電容電場和渦旋電場來獲得等離子體，原（yuán）理相近，構（gòu）造相（xiàng）對簡單，效果優良，得到（dào）了廣泛應用。