全球（qiú）高度（dù）信（xìn）息化時代（dài）的來臨，也（yě）伴隨電子技術的高速發展。在過去（qù），塊（kuài）體（tǐ）材料的使用導致元件體積龐大，可靠性降低，特別為實現某（mǒu）一功能特性，需要多種材料組合；然而（ér）現在應用薄膜材料（liào），僅通過少數組元，陣列或器件組成就能實（shí）現所需（xū）特性，從而實現電路的高度集成。薄膜技術正是實現（xiàn）器件與（yǔ）係統微型化的最為有效的手段之一。

  元器件向微型化發展，原有特性不僅存在，甚至更加強（qiáng）化。特（tè）別是器件在體積上不斷（duàn）地減少，使電子或（huò）其他粒子在微觀尺度內（nèi）靠近量子化運動，進而（ér）獲（huò）得薄膜器件的全新物理特性。與此同時，在電子設備與電路係統中，電路與器件的集成、兼容最為關（guān）鍵，高性能和高質量（liàng）的元器件可為係統的（de）先進性和可靠性提供保障，因此薄膜作為基礎材料支撐，其性能、製備工藝以及（jí）穩定性具有重要的基礎研究意義。

  薄膜材料具備特殊形態，屬於低維材料(二維)，采用特（tè）殊工藝方法(與塊體區別明顯（xiǎn）)，在襯底表麵（miàn）沉積或凝結特殊物質層。厚度一（yī）般在納米(薄膜)至幾微米(厚膜)範圍。在納米範圍內，一（yī）般就是（shì）數原子層或者數百個原子層的厚度，在如此厚度（dù）範圍內，薄膜會顯示出“厚度尺寸效應”，與塊（kuài）體材料相比較而（ér）言，性能差異明顯。原因為薄膜的處（chù）理工藝，更容易使物相組成與微結構形成非晶狀態、細化（huà）的晶粒、亞穩態（tài）、化學計量比的偏離、特殊的（de）材料表麵能態等（děng）現象。薄膜在襯底（dǐ）上生長（zhǎng），主要是各種粒（lì）子的相互作用結（jié）果，例如原（yuán）子（zǐ），原（yuán）子核，電子之間的相互作用。其宏觀表現為材料發生化學或物理反應，具有一（yī）定的結構形態。在薄膜的生長過程中，薄膜與襯底的浸（jìn）潤性，晶格的匹配與失配，熱膨脹（zhàng）係數的差（chà）異，粗糙度，都會對性（xìng）能產生影響，生長模（mó）式，成核（hé）過程都具有重要（yào）研（yán）究（jiū）意義。

  高質量的薄膜是薄（báo）膜器件設計和應用的基礎，然而薄膜的質量很大（dà）程度上取決於（yú）製備技術和製（zhì）備工藝條件參數，製備技術主要分為（wéi）物理方（fāng）法和化學方法。功能薄膜的種類一（yī）般按照電、磁、聲、光、力、熱、生物及化學等功能（néng）特性劃（huá）分。也可（kě）按照屬（shǔ）性類別分為金（jīn）屬薄膜，氧化物薄膜，氮化物薄膜，碳化物薄膜（mó），合金薄膜等。最近幾十年，薄膜製備與器件設計不斷取得新進展（zhǎn），而且對功能薄膜（mó）材料的研（yán）究已吸引眾多科研工（gōng）作者的興趣。各種薄（báo）膜的性能和用途各不相（xiàng）同，應根據物理化學性能和實際應用選（xuǎn）擇（zé）合適的薄膜。