有機物是天然的絕緣（yuán）材料，在普通的電氣絕緣方（fāng）麵等（děng）得到廣泛（fàn）的應用，典型的絕緣材料日常生活中處處可見，如塑料(聚乙烯、聚氯乙烯、尼龍（lóng）等)橡膠等的電阻率很高；很（hěn）多有機物、有機物的混合材料及添加無機納米材料的有（yǒu）機（jī）物都（dōu）是很好的絕緣材（cái）料，為了實現（xiàn）不同功能的絕緣材料，人們（men）在這些方麵進行了（le）廣泛的研（yán）究。
醋酸乙烯（xī）樹脂通常用的有機場效（xiào）應（yīng）管的柵介質材料（liào）為聚甲（jiǎ）基丙烯酸甲酯（zhǐ）(PMMA)，然而（ér）由於它的低介電常數和薄（báo）膜製備上的問題，促使（shǐ）人（rén）們研究新的替（tì）代物。
醋酸乙烯樹脂(PVAc)是目前正在研究作為有機薄膜晶體管(OTFrs)的柵絕緣層，因為它能通過乙烯醇的水解，並且與無機（jī）材料粒子（zǐ）形成化合物，它的介電常數在3．2～9．3之間適合作為OTFr的絕緣（yuán）層（céng），韓國的Park等人通過旋塗的方法在鋁（lǚ）基上（shàng）沉積了（le）200 nm的PVAc薄膜，使用1％(質量)的（de）PVAc和0．01％(質量（liàng）)的有機粘（zhān）土的氯仿溶液，他們得到添加了有機粘土（tǔ）的（de）材料的介電常數為3．89，相對於沒有摻人有機（jī）粘土時的介電常數增（zēng）加了0．45左右。
偏二氟（fú）乙烯和三氟胸（xiōng）苷的混合物(P(VDF—TrFE))具有較高的介電常數(11)，它（tā）能增加（jiā）OFETs的跨導，從而降低工作電壓，在一定的厚度範（fàn）圍內(>1鬥m)對（duì）晶（jīng）體（tǐ）管沒有滯後效應，是作為OFET器件柵極的（de）**候選（xuǎn）材料之一（yī）。同時在當材料的厚度<1 Ixm時，薄膜具有典（diǎn）型的鐵（tiě）電介質的極化滯後曲線，因此它同（tóng）時（shí）又是作為有機存儲器電（diàn）介質可選材料。製（zhì）備這種材料隻需要傳統的旋塗設備就可以完成，不需其他輔助裝置。和其他功能薄膜一樣，絕緣薄膜有它自身的性質（zhì）及（jí）表征方法。
下麵（miàn）是（shì）對絕緣薄（báo）膜的一些主要性能表征方法的介紹（shào）。
(1)電擊穿強度。絕緣薄（báo）膜的擊穿一般分為瞬時電擊穿、熱擊穿和老化擊穿。在瞬時電擊穿中，又分（fèn）為本征性擊（jī）穿和非本征性擊穿。前者是結構（gòu）完美的薄膜在電場瞬時作用下發生的（de）電擊穿，後者是結構中含有缺陷的薄膜在同樣（yàng）條件下發生的擊穿。與（yǔ）此相對應的（de）擊穿場強稱為薄膜（mó）的本征性擊穿場強和非本征性（xìng）擊（jī）穿場強。本征性擊穿場強是薄膜的固有擊穿場強（qiáng），取決於薄膜本身（shēn），非（fēi）本征性擊穿場強取決於薄膜中的缺陷（xiàn）情況，不屬於薄膜的固有特性（xìng）。
熱擊穿是由於電介質中（zhōng）存在（zài）傳導電流和交變場下的位移電流（liú）所引起的發熱量來不及散失而使局部介質溫度（dù）升（shēng）高，直至喪失絕緣性能而遭到熱破壞。熱擊穿電場強度受環境溫度、散（sàn）熱條件、樣（yàng）品幾何形狀等外界因素影響（xiǎng）很大，是（shì）非本征的。較為本征的擊穿（chuān）是由固體中的傳導電子或傳導空穴在電場中的獲能（néng）速率以及它們與固體中（zhōng）的聲子或雜質、缺陷的碰撞造成的失能速率的相互平衡所完全決定。隻有在很嚴格的實驗條件下（xià）才能測出表征（zhēng）薄膜本身特性的擊穿場（chǎng）強。
為（wéi）了測（cè）得薄膜的實有擊穿（chuān）場強，現在常用樣品的結構是MIS(金屬一絕緣層一半導體)型或MIM型微型電容器，基片（piàn）多用單晶Si或GaAs，樣品的金（jīn）屬電極多用Al，厚度為亞微米級。
介質薄膜電擊穿場強（qiáng）的測試（shì）方法很（hěn）多（duō），其中最常用的（de）是連續升壓擊穿(RVB)法，簡稱（chēng）升壓法，有時也用步（bù）進法。升壓（yā）法的優（yōu）點（diǎn）是簡單、明確，很（hěn）快測得薄膜的瞬時擊穿場強；缺點是不能揭示與擊穿緊密相關的薄膜的其他性能（néng），也不能顯示出擊穿過程和擊穿機理。此外，該法對介質薄膜中（zhōng）的偶（ǒu）然缺陷還不夠敏（mǐn）感。因此（cǐ），又產生了不少其他的（de）測試（shì）方法，如恒壓擊穿（chuān）(CVB)法、恒流擊穿(CCB)法、電暈放電(CD)法、隨機噪（zào）聲信（xìn）號(RTN)法等。
由於電擊（jī）穿場強屬於材料的強度參數，所以具體數值分散性較大，因（yīn）此給出的測試結果常為三種形式（shì）：一種是擊穿概率分布圖；另一種是（shì）擊（jī）穿積分概率曲線；第三種是給出擊穿場強數值範圍。在這三種形式中，實用意（yì）義較大的是擊穿積分概率曲線。因為該曲線不但能反映樣品的質量及其分散程度（dù），進而反映（yìng）製造工藝水平和工藝（yì）穩定性，還可以依此確定薄（báo）膜（mó）在實用時的有關電場強度，如（rú）工作場強（qiáng）、篩選場強等。否則，無法設計使用該種薄膜的（de）有關器件和集成電路。此（cǐ）外，還（hái）可由（yóu）此知道所（suǒ）用工藝水平及其穩定程度。
絕緣薄膜的電阻率一般在108～1018 n·m之（zhī）間。高絕緣材料加上直流電壓後，通過試（shì）樣的電（diàn）流是很微小的，極易受到外界幹擾的影響，造成較大的測試誤差。被測試樣、測試電極和（hé）測試（shì）係統均應（yīng）采（cǎi）取嚴格的屏蔽措施，並且需要考慮設備的可靠性問（wèn）題，消除這（zhè）些影響帶（dài）來的測試結果的（de）偏差。
(2)環（huán）境溫、濕度。一般材料的電阻值隨環境溫、濕度的升高而減小。相對而言，表麵電阻(率)對環境濕度比較敏感，而體電阻(率)則對溫度較為敏感。濕度（dù）增加，表麵泄漏增大，體（tǐ）電導電流也會增加。溫度升高，載流子的運動速（sù）率加快（kuài），介質材（cái）料的吸（xī）收電流和（hé）電導電流會相應增加。據有關資料報道，一（yī）般介質在70℃時的（de）電阻值僅為在20℃時的10％。因此，測（cè）量材料的電阻（zǔ）時，必須（xū）指明試樣與環境達到平衡（héng）的溫、濕度。
(3)測試電（diàn）壓(電場強度（dù）)。介質材（cái）料的（de）電阻(率)值一般不能在很寬的電壓範圍（wéi）內保持不變，即歐姆定律對此並不適用。常溫條件下，在較（jiào）低的（de）電壓範圍內，電導電流隨外加（jiā）電壓的增（zēng）加而線性增加，材料的電阻值保持不變。超過一定電壓後，由於離子化運動加劇（jù），電導電流的增加遠比測試電壓增加得快，材料呈現的電阻值迅速降低（dī）。由此可見，外加測試電壓越高，材料（liào）的（de）電阻值越低，以致在不同電壓下測試得到的材料電阻值（zhí）可能有較大的差別（bié）。值
得注意的是，導致材料電阻值變化的決定因素是測試時的（de）電場強度（dù），而不是測試電壓。對相同的測試（shì）電壓，若測試電（diàn）極之間（jiān）的距離不同（tóng），對材料電阻率的測試結果也將不同，正負電極之間的（de）距離（lí）越小，測試值也越小。
(4)測試時間。用一定的直流電壓（yā）對被測材料加壓時，被測（cè）材（cái）料上的（de）電流（liú）不（bú）是瞬時達到穩（wěn）定值（zhí）的，而是有一衰減過程。在加壓的同時，流過較大的充電電流，接著是比較（jiào）長時間緩慢減小的（de）吸收（shōu）電流，最後達（dá）到比（bǐ）較平穩的電導電流。被測電阻值越高，達（dá）到平衡的時間則越長。因此，測量（liàng）時為了正確讀取被測電阻值，應在穩定後讀取數（shù）值或取加壓1 min後的讀數值。
另外，高（gāo）絕緣材料的電阻值還與其帶電的曆史有關。為準確評價（jià）材料的靜電性能，在（zài）對材料進行電阻（zǔ）(率)測試時（shí），應首先對其進行消電處理，並靜（jìng）置一（yī）定的時間，靜（jìng）置時（shí）間可取5min，然後，再按測量程序（xù）測（cè）試（shì）。一般而言，對一種（zhǒng）材料（liào）的測試（shì），至少應隨機抽取3～5個試（shì）樣（yàng）進行測試（shì），以其平均值作為測（cè）試結果（guǒ）。
(5)測試設備的（de）泄漏。在測試中，線路中絕緣電阻不高的連線，往往會不適當地與被測試樣（yàng）、取（qǔ）樣（yàng）電（diàn）阻等並（bìng）聯，對測量結果可能帶來較大的影響。因此，為減（jiǎn）小測量誤差，應采用（yòng）保護技術，在漏電流大的線路上安裝保護導體，以基本消（xiāo）除雜散電（diàn）流對測試（shì）結果的影響。
(6)介電常數。MOS結構電容一電壓特（tè）性(簡稱（chēng）C—y特性)測量是檢測MOS器件製造工藝的重要手段。MOS電容它類似於金屬和介質（zhì）形成的平板電容器。但是（shì），由於半導體中的電荷密度比金屬中的小得多，所以充（chōng）電電荷在半（bàn）導體表麵形成的空間電荷區有一定的厚度（dù）(為微米量級)，而（ér）不像金屬（shǔ）中那樣（yàng），隻集中在一薄層中(為0．1 nm)內。
半導體表麵空間電荷區的厚度隨K而變化，所以MOS電容是微分電容。